

| 매개변수 | 가치 |
|---|---|
| Floating switch contacts | |
| 깊이 | 119.2 mm |
| 너비 | 6.2 mm |
| 키 | 109.81 mm |
| 격리 | Double/reinforced insulation |
| 자격증 | CE-compliant |
| 높이 범위 | > 2000 m ... 3000 m |
| 제품 유형 | Isolating switch transf. |
| 나사산 | M3 |
| 테스트 전압 | 2.5 kV AC (50 Hz, 60 s) |
| 구성 | DIP switches |
| 신분증 | II (1) G [Ex ia Ga] IIC |
| 소음 방출 | EN 61000-6-4 |
| 잡음 내성 | EN 61000-6-2 |
| 제품군 | MINI Analog Pro |
| 상태 표시 | Green LED (supply voltage) |
| 라인 모니터링 | Line fault detection |
| 주택 자재 | PBT |
| 입력 개수 | 1 |
| 오염도 | 2 (≤ 5000 m) |
| 스트리핑 길이 | 10 mm |
| 연결 방식 | Screw connection |
| 단면 AWG | (converted acc. to IEC) |
| 장착 위치 | any |
| 조임 토크 | 0.5 Nm ... 0.6 Nm |
| 출력 설명 | passive |
| Ex i 회로(EPL) | Ga |
| 스위칭 주파수 | ≤ 10 kHz (IOUT≥ 5 mA) |
| 보호 수준 | IP20 |
| 최대 출력 전력 Po | 28 mW |
| 과전압 범주 | II (≤ 5000 m) |
| 공급 전압 범위 | 19.2 V DC ... 30 V DC |
| Ex 설치(EPL) | Gc |
| 표준/규정 | IEC/EN 61010-1 |
| 최대 출력 전류 Io | 10.9 mA |
| 최대 출력 전압 Uo | 10.1 V |
| 최대 스위칭 전류 | 50 mA |
| 정격 공급 전압 | 24 V DC |
| 사용 가능한 입력 소스 | NAMUR proximity sensors (IEC/EN 60947-5-6) |
| 정격 절연 전압 | 300 Vrms |
| 도체 단면적 AWG | 24 ... 12 (flexible) |
| 최대 내부 인덕턴스 Li | negligible |
| 최대 내부 정전 용량 Ci | negligible |
| 도체 단면 강성 | 0.2 mm² ... 1.5 mm² (with ferrule) |
| 전자기 호환성 | Tested in accordance with the following standards and regulations: EN 61326-1 For industrial use, NAMUR NE 21 |
| 주변 온도(작동) | -40 °C ... 70 °C |
| 도체 단면적 유연함 | 0.14 mm² ... 2.5 mm² |
| 허용 습도(작동 조건) | 5 % ... 95 % (non-condensing) |
| 안전 관련 최대 전압 Um | 253 V AC |
| 주변 온도(보관/운송) | -40 °C ... 85 °C |
| I (혼합 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 100 mH / 1 µF |
| (단순 회로) I: 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 300 mH / 160 µF |
| IIC(혼합 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 100 mH / 500 nF, 50 mH / 570 nF, 5 mH / 590 nF, 1 mH / 590 nF, 10 µH / 590 nF |
| IIA(단순 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 300 mH / 93 µF |
| IIC(단순 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 300 mH / 2.87 µF |
| IIIC(혼합 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 100 mH / 1 µF |
| IIB/IIA(혼합 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 100 mH / 1 µF |
| IIB/IIIC (단순 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 100 mH / 19.4 µF |
| I/IIB/IIA/IIIC (혼합 회로): 최대 외부 인덕턴스 Lo / 최대 외부 커패시턴스 Co | 100 mH / 1 µF, 5 mH / 1 µF, 1 mH / 1 µF, 10 µH / 1 µF |
기술 사양 및 성능 데이터
설치 및 운영 가이드